اضغط ⬆️ ثم "إضافة للشاشة الرئيسية"
البث المباشر
رئيس هيئة الأركان يستقبل قائد الحرس الوطني لولاية كولورادو الملك يبعث برقية تعزية إلى أخيه سمو الشيخ تميم بن حمد آل ثاني زين تطلق دورة جديدة من برنامج الإقلاع عن التدخين لموظفيها بالتعاون مع مركز الحسين للسرطان العيسوي يستقبل وفدا من مبادرتي "حقي أحلم" و"سيدات مبدعات" التطوعيتين إليك هناك…. في رواية: ريما ملحم وفاة شخص من جنسية عربية غرقاً داخل قناة الملك عبدالله في إربد "المناطق الحرة والتنموية": تلفريك عجلون من أكثر المواقع السياحية استقطابا للزوار الأردن يحقق قفزة نوعية في مؤشر تنمية تكنولوجيا المعلومات والاتصالات لعام 2026 ويتقدم إلى المرتبة التاسعة عربيًا فريق البحث والإنقاذ الأردني الدولي يعود إلى أرض الوطن بعد إنجاز مهمتة الإنسانية في فنزويلا ‏"جائزة الشارقة للاتصال الحكومي" تعزز توظيف الذكاء الاصطناعي في مستقبل الاتصال المياه تحصد جائزة الإدارة المؤسسية للطاقة لعام 2026 لمنطقة الشرق الأوسط وشمال أفريقيا رئيس مجلس محافظة معان يزور بلدية الشراه لبحث الأولويات التنموية والخدمية " البيت العربي يواصل فعاليات مبادرة الصيف لا يحلو إلا بمكتبتي في مكتبات أمانة عمان." سمو ولي العهد يعزي سمو الشيخ تميم والشعب القطري الشقيق بوفاة سمو الشيخ حمد بن خليفة المياه : بناء 6 آلاف مؤشر أداء لتطوير منظومة الحوكمة المؤسسية ومؤشرات المخاطر على غير عادتها... كرة القدم تنصف الكبار...في المونديال... برعاية وزير الشباب.. عمّان الأهلية تستضيف البطولة الوطنية الأردنية للروبوتات متتبعة الخط (NLFRC 2026) الخرابشة: قرب توقيع اتفاقيتين لتنفيذ مشروع إيصال الغاز إلى مدينتي معان والموقر أعشاش برسم البيع "حين يصمت الضمير... هل يكفي العقل لإنقاذ الإنسان؟"

"سامسونج إلكترونيكس" تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة من الجيل التالي

سامسونج إلكترونيكس تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة من الجيل التالي
الأنباط -
الأنباط -"سامسونج إلكترونيكس" تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة من الجيل التالي

توفّر ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة وذات معدل البيانات المزدوجة بسعة 16 ميجابايت أعلى أداء وأعلى سعة على الإطلاق بالاعتماد على تقنية المعالجة من الجيل الثاني من سامسونج التي تبلغ 10 نانومتر


(عمّان، 08 آذار 2020): أعلنت شركة "سامسونج إلكترونيكس" المحدودة، الشركة الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدء إنتاج أول وأحدث رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة، وذات معدل البيانات المزدوجة بسعة 16 ميجابايت، التي يشار إليها عادةً باسمLPDDR5 DRAM ، والتي تستهلك طاقة أقل، ما يجعلها مثالية للاستخدام في تصميم الجيل القادم من أجهزة الهواتف الذكية الرائدة والفاخرة.

ومع هذه الخطوة التي قامت معها "سامسونج" بتطوير سعة رقاقاتها من 12 إلى 16 جيجابايت في غضون ستة أشهر فقط، بعدما بدأت الإنتاج الضخم والأول في العالم لرقاقة LPDDR5  بسعة 12 جيجابايت في شهر تموز عام 2019، فإنها ستحدث نقلة نوعية في سوق رقائق الذاكرة المخصصة للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة؛ إذ أنها توفر سعة إضافية تعزز من ميزات الهواتف الذكية التي تدعم الجيل الخامس وخاصية الذكاء الاصطناعي AI المحسنة، وبالتالي تعزيز ميّزة التصوير الذكي وعرض الألعاب الغنية بالرسومات.

وفي تعليق له على هذه الخطوة، قال نائب رئيس قسم مبيعات وتسويق رقائق الذاكرة في شركة "سامسونج إلكترونيكس"، تشول تشوي: "تؤكّد هذه الخطوة على التزام شركة "سامسونج إلكترونيكس" بالاستمرار في تطوير تقنيات الذاكرة وإتاحة الفرصة للمستهلكين للاستمتاع بتجارب مذهلة عبر أجهزة الهواتف الذكية الخاصة بهم. ونؤكّد في سامسونج على التزامنا بتقديم أحدث الحلول المبتكرة لمصنعي الأجهزة المحمولة بما فيها الهواتف الذكية، والحواسيب الشخصية، والأجهزة اللوحية في جميع أنحاء العالم." وأضاف تشوي: "ستعمل سامسونج بجدّ لمواصلة تلبية حجم الطلب المتزايد على رقائق الذاكرة من قِبل الزبائن حول العالم، حيث ستقوم الشركة بطرح تشكيلة منتجات جديدة تعتمد على تقنية الجيل التالي في وقت لاحق من هذا العام."

ويصل معدّل نقل البيانات لرقاقة الذاكرة LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت إلى 5500 ميجابايت في الثانية، أي أسرع بنحو 1.3 مرة بالمقارنة مع رقاقة الذاكرة السابقة،LPDDR4X ، والتي يصل معدل نقل البيانات فيها إلى 4266 ميجابايت في ثانية. ومقارنةً بحزمة LGBDDR4X سعة 8 جيجابايت، توفر ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة DRAM الجديدة أكثر من 20% من استهلاك الطاقة مع تقديم ما يصل إلى ضعف الطاقة والسعة.

هذا وتتكون حزمة DRAM للهواتف الذكية من "سامسونج" بسعة 16 جيجابايت من ثماني شرائح بسعة 12 جيجابايت وأربع شرائح بسعة 8 جيجابايت، لذا فإنها تتميّز بقدرتها على تزويد الهواتف الذكية الرائدة بضعف سعة DRAM الموجودة في العديد من أجهزة الحاسوب الشخصية وأجهزة الحاسوب المخصصة للألعاب. وإلى جانب الأداء السريع، تقدّم حزمة DRAM أكبر سعة في قطاع صناعة رقائق الذاكرة ما يعزز تجربة اللعب الغامرة على الهواتف الذكية، إذْ أنها تدعم اللعب الديناميكي وسريع الاستجابة، بالإضافة للرسومات فائقة الدقة على الهواتف الذكية الرائدة.


وبينما تواصل "سامسونج" التوسع في إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة للهواتف الذكية LPDDR5 DRAM في مصنعها الخاص في مدينة بيونجتايك، في كوريا الجنوبية، تخطط الشركة للإنتاج بكثافة وبكميات ضخمة من ذاكرة LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت معتمدة على تقنية معالجة الجيل الثالث من فئة10nm-class (1z)  في النصف الثاني من هذا العام، وذلك تماشياً مع تطور صناعة الرقائق بسعة 6400 ميجابايت في الثانية. ومن المتوقع أن يعزز هذا الابتكار الجديد كلياً والذي لا مثيل له من مكانة شركة "سامسونج"، وقدرتها التنافسية في العديد من الأسواق على مستوى العالم، خاصةً في أسواق الهواتف الذكية الرائدة، وأجهزة الحاسوب المتطورة، بالإضافة إلى سوق تطبيقات المركبات.

-انتهى-

 

 


مرجع لتاريخ إنتاج رقائق ذاكرة DRAM التي تستهدف الهواتف الذكية من "سامسونج":



تاريخ الإنتاج

السعة

الطراز

كانون الأول 2019

16 جيجابايت

10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s

أيلول 2019

12 جيجابايت

10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

تموز 2019

12 جيجابايت

10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s

حزيران 2019

6 جيجابايت

10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s

شباط 2019

12 جيجابايت

10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

تموز 2018

8 جيجابايت

10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

نيسان 2018

8 جيجابايت

10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s

أيلول 2016

8 جيجابايت

10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

آب 2015

6 جيجابايت

20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s

كانون الأول 2014

4 جيجابايت

20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s

أيلول 2014

3 جيجابايت

20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

تشرين الثاني 2013

3 جيجابايت

20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

تموز 2013

3 جيجابايت

20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s

نيسان 2013

2 جيجابايت

20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s

آب 2012

2 جيجابايت

30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s

2011

½ جيجابايت

30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s

2010

512 ميجابايت

40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s

2009

256 ميجابايت

50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s


© جميع الحقوق محفوظة صحيفة الأنباط 2024
تصميم و تطوير